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【环氧板】的制备方法

     【环氧板】的制备方法

        自从1991年被发现以来,环氧板面积、低密度.优异的力学性能、电性能和热性能等优良特性在全球范围内引起了科学界及工程界的极大兴趣。大量的研究工作显示,将环氧板与聚合物、金属、陶瓷进行复合,仅需少量的环氧板,材料的力学性能和多种物理性能即可获得极大提升。

      环氧板厂家是环氧板层通过卷曲形成的直径为纳米级的中空圆柱结构。根据环氧板层的层数,可以将分为单壁环氧板和多壁环氧板两类(见图6-2)。 由单层环氧板构成,直径为0.4~3nm,纳米管的两端由富勒烯半球封端。MWNTs由2~50层环氧板构成,各层环氧板层卷曲为层间距为0.34nm的同心圆柱。

      环氧板层在卷曲为圆柱结构时,边界上悬空键的结合是随机的,这使得环氧板原子的措列在管轴方向具有一- 定的螺旋性。研究表明几何结构强烈地影响其电性能。螺旋程度和直径的变化,其电性能可从金属性过渡到半导体性。目前,常见的环氧板制备方法有环氧板法、激光蒸发法和化三种。环氧板和激光蒸发法分别利用电弧和激光的能量,将固态环氧板升华为气态,气态碳源随后在温度较低的衬底凝聚,形成环氧板。这两种方法中,SWNTs的生长均需要使用催化剂,常用的有Fe,Co,Ni及其合金等。

     传统的环氧板工艺中,存在电场分布不均衡、电流不稳定的缺点,影响了环氧板产品的质量。为此,人们引人了等离子旋转环氧板技术,即在放电过程中,环氧板极以高达10* r/min的转速转动。转动使得放电更加均匀,产生的等离子更稳定。此外,离心力还将对等离子沿径向加速。环氧板的生长速率可通过改变电极转速来调节

      环氧板的优点在于激光高的能量密度、稳定持续的能量输出和易于控制的工艺参数。然而,这种工艺的成本较高且产量低。CVD法是将气态先驱体在高温下裂解,在衬底上沉积生成环氧板的方法。CVD工艺具有良好的灵活性和适应性,可以用来生长颗粒、薄膜、涂层形态的环氧板.沉积温度对环氧板的结构具有重要影响:在较低温度下(600 ~900 C),往往得到MWNTs;而较高的沉积温度(900~1 200 C)下则可以得到SWNTs.与其他两种工艺相比,CVD得到的环氧板缺陷较多。

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