【环氧板】最先进制造的方法

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Chiu等以气相化学反应达平衡态和前提，解释了化学计量siC的生成。关于MTSCVD siC的化比学反应模型更:i品这此聚合物分解形成的。和M. Endo在实验中观察到大分子聚合碳硅烧物的生成，认为气相沉积中的应用，人们对随着理论和实验研究的逐渐深人，尤其是分析检测技术在化学气相此方面达成了共识，具体MTS CVD sic沉积机理的理解逐渐深人，虽然没有定论，但在有机碳硅烷分解产生含碳和含硅的中间物质.这些中间物质经表面反应Si- CI,C H键断裂和HCI的消除形成sic.形成siC的有效活性物质主要是这些小的、不饱和分子或自由基，如SsiCl .SiCL.CH.CH.CH等。MTS分子中Si- C键的断裂引发整个气相和表面化学反应，Ab Initio 和RRKM计算表明MTS分子有三种最为可能的单分子分解方式:①Si C键断裂;②C-H键断裂;③1,2HCI消去反应。MTS分子中Si- C能量最小(290kJ/mol,Si Cl: 359 kJ/mol,C-H: 338 kJ/mol),且方式①的反应速率是方式②和③的100 倍以上。因此,MTS分子中Si- C键首先发生断裂形成CHs和SiCl ,然后CH3和SiC,与体系中原气体分子发生-系列化学反应形成其他过渡物质和反应副产物。Alndorft 和Gorden依据Ab litio 理论的计算也表明约75%MTS分子中Si c键断裂形成CH,和Si.金的MTS分子发生1.2HC消去反应生成CH.SICG和HCL这种理论分析观点得但也有少数研究者认为是MTS与体系中存在的其他物质(MTS.H,

HC0相互作用引发整个沉积反应。因此，沉积sC的一般模式为:速率常数

对纤维的损伤小。在CVI讨程中基本不需要对预成型体施加压力，输送气态先驱体发性副产物均在低压下进行，纤维在CVI过程中不承受或极少承受机械应力:通过节纤维/基体界面，他成型方法大大减少。同时，低的制备温度有效地避免了纤维在制备过程中的热损伤。

近净成型。 如果使预成型体具有制品要求的形状和尺寸，在CVI过程中，它将基本上保持不变，制得的环氧板材料件也将具有写之相同的形状和尺寸,不需再经过机械加工或仅需稍到要求的形状和尺寸。因此,CV1方法适于制备大型薄壁复杂构件。

多孔性。由于CV1是气态先驱体通过孔隙渗透进人预制体进而反应沉积获得基体时，随着基体材料的不断沉积，沉积过程的瓶颈效应会导致材料内部形成许多闭孔而使气态先驱体无法继续渗人，因而环氧板材料制品中- -般含有5% ~ 20%的残留孔隙。CV1法不能制备出完全致密的陶瓷基环氧板材料。这些孔腺- -方面会增加环氧板材料内部的裂纹偏转等增韧机制，提高环氧板材料的强韧性，另-方面也会成为环氧板材料服役过程中的氧化介质(如氧气和水)的扩散通道，影响材料的使用寿命。

与其他方法(液相法和固相法)相比,CVI法由于其高度可设计性和适于制备大型薄壁复杂构件，是连续纤维增强陶瓷基环氧板材料最先实现产业化制造的方法，也是连续纤维增韧陶瓷基环氧板材料最先进的基础制造方法。CVI法的主要缺点是设备较复杂，制造成本较高,生产周期较长，环氧板材料致密度不高(通常都存在5% ~ 20%的孔院率)。

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